特許
J-GLOBAL ID：201903008900753725
シリコン含有膜のエッチング方法、コンピュータ記憶媒体、及びシリコン含有膜のエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
金本 哲男
, 萩原 康司
, 扇田 尚紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-094597
公開番号（公開出願番号）：特開2019-201102
出願日： 2018年05月16日
公開日（公表日）： 2019年11月21日
要約：
【課題】基板上のシリコン含有膜をエッチングする際に、エッチング後のシリコン含有膜の表面粗さを小さくすること、及び/または、エッチング対象部分が露出するよう孔が形成されたパターンを有する基板上のシリコン含有膜をエッチングする際に、孔の内部におけるエッチング後のシリコン含有膜の表面を平坦にする。【解決手段】本エッチング装置は、基板上のシリコン含有膜をエッチングする装置であり、少なくともF2ガスを含む第1のフッ素含有ガスと少なくともClF3ガス、IF7ガス、IF5ガスまたはSF6ガスを含む第2のフッ素含有ガスとの両方を、上記シリコン含有膜に対して供給する給気部12と、を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上のシリコン含有膜をエッチングする方法であって、
少なくともF2ガスを含む第1のフッ素含有ガスと、少なくともClF3ガス、IF7ガス、IF5ガスまたはSF6ガスを含む第2のフッ素含有ガスとの両方を用いて、前記シリコン含有膜をエッチングすることを特徴とする、シリコン含有膜のエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F004AA11
, 5F004BA19
, 5F004BB18
, 5F004BB26
, 5F004CA01
, 5F004DA00
, 5F004DA18
, 5F004DA25
, 5F004DB00
, 5F004DB01
, 5F004DB02
, 5F004DB30
, 5F004EA28
, 5F004EA34
, 5F004EB01
