特許
J-GLOBAL ID:201903009495687449
電子デバイスおよびその作製方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-186404
公開番号(公開出願番号):特開2019-068074
出願日: 2018年10月01日
公開日(公表日): 2019年04月25日
要約:
【課題】動作電圧の低減、および、または、効率の向上を有している電子デバイスを提供すること。【解決手段】第1の電極と第2の電極との間に少なくとも1つの正孔注入層130および、または、少なくとも1つの正孔発生層を備える電子デバイスであって、正孔注入層130および、または、正孔発生層は、ビスマスカルボキシレート錯体からなり、電子デバイスは、有機ELデバイス、有機光起電性デバイス、または有機電界効果トランジスタである、電子デバイスに関する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の電極と第2の電極との間に少なくとも1つの正孔注入層および/または少なくとも1つの正孔発生層を備える電子デバイスであって、
前記正孔注入層および/または前記正孔発生層は、ビスマスカルボキシレート錯体からなり、
前記電子デバイスは、有機ELデバイス、有機光起電性デバイス、または有機電界効果トランジスタである、電子デバイス。
IPC (4件):
H01L 51/50
, H05B 33/10
, H01L 51/46
, C07F 9/94
FI (6件):
H05B33/22 D
, H05B33/14 A
, H05B33/10
, H01L31/04 154D
, H01L31/04 154E
, C07F9/94
Fターム (18件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB02
, 3K107CC04
, 3K107CC12
, 3K107DD72
, 3K107DD80
, 4H050AA01
, 4H050AB91
, 5F151AA11
, 5F151CB13
, 5F151CB14
, 5F151DA03
, 5F151FA02
, 5F151FA03
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151GA03
引用特許:
前のページに戻る