特許
J-GLOBAL ID:201903010892253305

基板処理装置、半導体装置の製造方法、および、プログラム

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-170036
公開番号(公開出願番号):特開2019-062194
出願日: 2018年09月11日
公開日(公表日): 2019年04月18日
要約:
【課題】移載室をパージする不活性ガスの消費量を低減可能な技術を提供する。【解決手段】移載機による基板収容器から基板支持具への基板の搬入が終了してゲートが閉められてから、処理済の基板を基板支持具から基板収容器へ搬出するためにゲートが再び開けられるまでの間の期間の少なくとも一部において、不活性ガス供給器が不活性ガスを供給し、前記期間外においては、不活性ガス供給器は不活性ガスを供給しない。クリーンユニットは、装置外から取り入れた空気を清浄化して移載室に供給するとともに余剰な空気を装置外に排出する1パスモードと、移載室内の雰囲気を吸引し清浄化して移載室に供給する循環モードと、を切り替えられるように構成され、ゲートが開いている間、移載室を空気である雰囲気によって陽圧に保つとともに、移載室の中から外へ空気を流出させる。【選択図】図6
請求項(抜粋):
基板を基板支持具に載置した状態で処理する反応室と、 前記反応室に連接され、前記反応室から取り出した前記基板支持具が配置される移載室と、 前記移載室の内外で前記基板を移動させるために前記移載室に設けられた開口を開閉するゲートと、 前記移載室の外側で前記開口に面して設けられ、基板収容器を保持するバッファ棚と、 前記バッファ棚の前記基板収容器と前記基板支持具との間で前記基板を搬送する移載機と、 前記移載室に清浄な雰囲気を供給するクリーンユニットと、 前記移載室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器と、 前記移載機による前記基板収容器から前記基板支持具への前記基板の搬入が終了して前記ゲートが閉められてから、処理済の前記基板を前記基板支持具から前記基板収容器へ搬出するために前記ゲートが再び開けられるまでの間の期間の少なくとも一部において、前記不活性ガス供給器が前記不活性ガスを供給し、前記期間外においては、前記不活性ガス供給器は前記不活性ガスを供給せず、 前記クリーンユニットが、装置外から取り入れた空気を清浄化して前記移載室に供給するとともに余剰な空気を装置外に排出する1パスモードと、前記移載室内の雰囲気を吸引し清浄化して前記移載室に供給する循環モードと、を切り替えられるように構成され、前記ゲートが開いている間、前記移載室を空気である雰囲気によって陽圧に保つとともに、前記移載室の中から外へ空気を流出させるよう制御する制御部と、 を有する基板処理装置。
IPC (5件):
H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/677 ,  H01L 21/683 ,  C23C 16/44
FI (5件):
H01L21/31 B ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 A ,  H01L21/68 N ,  C23C16/44 F
Fターム (78件):
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030GA13 ,  4K030JA10 ,  4K030KA12 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE01 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EB12 ,  5F045EE14 ,  5F045EE17 ,  5F045EE18 ,  5F045EE20 ,  5F045EG10 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04 ,  5F045EN05 ,  5F045GB07 ,  5F131AA02 ,  5F131CA62 ,  5F131DA22 ,  5F131DA32 ,  5F131DA36 ,  5F131DA43 ,  5F131DB52 ,  5F131DB62 ,  5F131DB72 ,  5F131DB76 ,  5F131DC26 ,  5F131DD53 ,  5F131EA04 ,  5F131EC02 ,  5F131EC13 ,  5F131FA34 ,  5F131FA35 ,  5F131GA03 ,  5F131GA14 ,  5F131GA19 ,  5F131GB13 ,  5F131HA12 ,  5F131HA22 ,  5F131HA28 ,  5F131JA27 ,  5F131JA32 ,  5F131JA35
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-093660   出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
  • 半導体製造装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-153696   出願人:国際電気株式会社
  • 半導体製造装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-105791   出願人:山口日本電気株式会社
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審査官引用 (4件)
  • 処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-093660   出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
  • 半導体製造装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-153696   出願人:国際電気株式会社
  • 半導体製造装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-105791   出願人:山口日本電気株式会社
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