特許
J-GLOBAL ID：201903010977343125

マイクロLEDアレイディスプレイ装置

発明者：
チャン, ハン ビッ

チャン, ハン ビッ について

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シン, ウン ソン

シン, ウン ソン について

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チョ, ヒョン ヨン

チョ, ヒョン ヨン について


出願人/特許権者：
ルーメンス カンパニー リミテッド

ルーメンス カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-222671
公開番号（公開出願番号）：特開2019-068082
出願日： 2018年11月28日
公開日（公表日）： 2019年04月25日
要約：
【課題】ワイヤボンディング作業の複雑さと不便さを解消したマイクロLEDアレイディスプレイ装置を提供する。【解決手段】複数のマイクロLEDピクセル130、及び露出した第1導電型半導体層120上に形成された第1導電型メタル層140を含むマイクロLEDパネル100と、一つのマイクロLEDピクセルの第2導電型半導体層に個別的に対応するCMOSセル、及びCMOSセルに隣接して形成され、第1導電型メタル層に個別的に対応する共通セルを含むCMOSバックプレーンと、一つのマイクロLEDピクセルの第2導電型半導体層に個別的に対応する位置に形成され、一つのマイクロLEDピクセルに対応する各CMOSセルとの間を電気的に連結するバンプと、を備え、第1導電型メタル層に個別的に対応する位置に形成され、第1導電型メタル層とCMOSバックプレーンの共通セルとの間を電気的に連結する共通バンプと、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層で形成された垂直構造が一つのマイクロLEDピクセルを形成する複数のマイクロLEDピクセル、及び前記複数のマイクロLEDピクセルが形成されずに露出した前記第1導電型半導体層上に形成された第1導電型メタル層を含むマイクロLEDパネルと、 前記一つのマイクロLEDピクセルの前記第2導電型半導体層に個別的に対応するCMOSセル、及び前記CMOSセルに隣接して形成され、前記第1導電型メタル層に個別的に対応する共通セルを含むCMOSバックプレーンと、 前記一つのマイクロLEDピクセルの前記第2導電型半導体層に個別的に対応する位置に形成され、前記一つのマイクロLEDピクセルに対応する前記各CMOSセルとの間を電気的に連結するバンプと、を備え、 前記第1導電型メタル層に個別的に対応する位置に形成され、前記第1導電型メタル層と前記CMOSバックプレーンの前記共通セルとの間を電気的に連結する共通バンプと、を含むことを特徴とするマイクロLEDアレイディスプレイ装置。
IPC (1件)：
H01L 33/62
FI (1件)：
H01L33/62
Fターム (13件)：
5F142AA82 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CA13 ,  5F142CB03 ,  5F142CB14 ,  5F142CB18 ,  5F142CB23 ,  5F142CD02 ,  5F142CD15 ,  5F142CD32 ,  5F142CD44 ,  5F142GA02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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