特許

J-GLOBAL ID：201903011241019785

Cu-Ga合金スパッタリングターゲット、及び、Cu-Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法

発明者： 吉田 勇気 ,  植田 稔晃 ,  森 曉
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (5件)： 松沼 泰史 ,  寺本 光生 ,  細川 文広 ,  大浪 一徳 ,  志賀 正武
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-016122
公開番号（公開出願番号）：特開2016-191142
特許番号：特許第6583019号
出願日： 2016年01月29日
公開日（公表日）： 2016年11月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Cu-Ga合金からなるCu-Ga合金スパッタリングターゲットであって、 炭素濃度が30質量ppm以下とされ、 組織観察の結果、粒径10μm以下の結晶粒の占める面積率が5%以上50%以下、粒径100μm以上の結晶粒の占める面積率が1%以上30%以下の範囲内とされていることを特徴とするCu-Ga合金スパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C22C 9/00 ( 200 6.01) ,  B22F 3/14 ( 200 6.01) ,  B22F 3/24 ( 200 6.01) ,  C22C 1/04 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 9/00 ,  B22F 3/14 101 B ,  B22F 3/14 101 Z ,  B22F 3/24 F ,  C22C 1/04 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• Cu-Ga合金ターゲット材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-086509   出願人：日立金属株式会社
• Cu-Gaターゲット及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-080220   出願人：JX日鉱日石金属株式会社