Cu-Gaターゲット及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小越勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-080220
公開番号（公開出願番号）：特開2013-209751
出願日： 2013年04月08日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：

【課題】高密度であって、金属不純物濃度が低いCu-Gaターゲット及びその低コスト製造方法を提供する。【解決手段】Ga濃度が20〜60at%であるCu-Ga合金焼結体であって、相対密度が97%以上、平均粒径が5〜30μm、金属不純物の含有量が10ppm未満であること特徴とするCu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲット。原料中の金属不純物濃度を少なくすると共に、粉末法での製造プロセス中の金属不純物構成材からの混入を防止する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Ga濃度が20〜60at%であるCu-Ga合金焼結体であって、相対密度が97%以上、平均粒径が5〜30μm、金属不純物の含有量が10ppm未満であること特徴とするCu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 , B22F 3/14 , B22F 9/08 , C22C 9/00 , C22C 28/00

FI (5件)：

C23C14/34 A , B22F3/14 D , B22F9/08 A , C22C9/00 , C22C28/00 B

Fターム (22件)：

4K017AA04 , 4K017BA05 , 4K017BA10 , 4K017BB05 , 4K017BB18 , 4K017DA01 , 4K017FA11 , 4K017FA17 , 4K018AA04 , 4K018AA40 , 4K018EA01 , 4K018EA02 , 4K018KA29 , 4K018KA32 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA21 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC09 , 4K029DC34

引用特許：

出願人引用 (13件)

Cu-Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-244011 出願人：真空冶金株式会社
中華人民共和国特開1719626号公報
化合物半導体薄膜の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-065201 出願人：松下電器産業株式会社

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