特許
J-GLOBAL ID:201903012605897810
バッチ式プラズマ基板処理装置
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人前田特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-129720
公開番号(公開出願番号):特開2019-057494
出願日: 2018年07月09日
公開日(公表日): 2019年04月11日
要約:
【課題】外部においてプラズマ分解された工程ガスを処理空間の内部に与えるバッチ式プラズマ基板処理装置を提供する。【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、複数枚の基板が処理される処理空間を提供する第1のチューブと、前記処理空間において前記複数枚の基板を第1の方向に積載する基板支持部と、前記基板が処理される工程に必要な工程ガスを供給するための供給口を有する複数のガス供給部と、前記第1のチューブと連通されて前記処理空間内の工程残渣を外部に排気する排気部と、前記第1のチューブの外側に配設され、前記ガス供給部から供給された工程ガスをプラズマ分解させて前記処理空間に分解された工程ガスを与えるプラズマ反応部と、を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数枚の基板が処理される処理空間を提供する第1のチューブと、
前記処理空間において前記複数枚の基板を第1の方向に積載する基板支持部と、
前記基板が処理される工程に必要な工程ガスを供給するための供給口を有する複数のガス供給部と、
前記第1のチューブと連通されて前記処理空間内の工程残渣を外部に排気する排気部と、
前記第1のチューブの外側に配設され、前記ガス供給部から供給された工程ガスをプラズマ分解させて前記処理空間に分解された工程ガスを与えるプラズマ反応部と、
を備える基板処理装置。
IPC (5件):
H05H 1/46
, C23C 16/505
, C23C 16/455
, H01L 21/205
, H01L 21/31
FI (5件):
H05H1/46 M
, C23C16/505
, C23C16/455
, H01L21/205
, H01L21/31 C
Fターム (50件):
2G084AA05
, 2G084BB05
, 2G084BB11
, 2G084BB14
, 2G084BB26
, 2G084CC12
, 2G084CC33
, 2G084DD12
, 2G084DD22
, 2G084DD25
, 2G084DD32
, 2G084DD34
, 2G084DD35
, 2G084EE25
, 2G084FF02
, 2G084FF07
, 2G084FF08
, 2G084FF14
, 2G084FF31
, 2G084FF39
, 2G084GG04
, 2G084GG06
, 2G084HH21
, 2G084HH22
, 2G084HH27
, 2G084HH28
, 2G084HH29
, 2G084HH43
, 2G084HH52
, 4K030AA03
, 4K030AA07
, 4K030AA13
, 4K030CA12
, 4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030FA03
, 4K030KA09
, 4K030KA14
, 4K030KA30
, 4K030KA39
, 4K030KA47
, 5F045AA08
, 5F045AA15
, 5F045AC12
, 5F045BB15
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EF03
, 5F045EF08
, 5F045EH18
引用特許:
出願人引用 (15件)
全件表示
審査官引用 (14件)
全件表示
前のページに戻る