特許
J-GLOBAL ID：201903012844749555
半導体装置およびそれを用いたアクティブマトリクス基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-079641
公開番号（公開出願番号）：特開2017-191832
特許番号：特許第6594820号
出願日： 2016年04月12日
公開日（公表日）： 2017年10月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられ、少なくとも窒素を含み、水素を拡散する材料である第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の上方に設けられ、第1酸化物半導体層を備えた薄膜トランジスタと、
前記第1絶縁層の上方に設けられ、第2酸化物半導体層を備えたキャパシタと、
少なくとも前記薄膜トランジスタの第1絶縁層と前記第1酸化物半導体層との間に設けられ、前記水素のバリアとしての第2絶縁層と、を具備する
半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 618 B
, H05B 33/14 A
