半導体装置、該半導体装置を有する表示装置、該表示装置を有する表示モジュール、並びに該半導体装置、該表示装置、及び該表示モジュールを有する電子機器

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-048994
公開番号（公開出願番号）：特開2015-188080
出願日： 2015年03月12日
公開日（公表日）： 2015年10月29日
要約：

【課題】酸化物半導体を有するトランジスタを有する半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、第1の絶縁膜上に設けられ、トランジスタは、第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、酸化物半導体膜及びゲート電極上の第2の絶縁膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、を有し、第1の絶縁膜は、酸素を有し、第2の絶縁膜は、水素を有し、酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜と接する第1の領域と、第2の絶縁膜と接する第2の領域と、を有し、第1の絶縁膜は、第1の領域と重なる第3の領域と、第2の領域と重なる第4の領域と、を有し、第4の領域は、第3の領域よりも不純物元素の濃度が高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トランジスタを有する半導体装置であって、前記トランジスタは、前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、前記酸化物半導体膜及び前記ゲート電極上の第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上の第3の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜が有する第1の開口部と、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜が有する第2の開口部と、前記第1の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極と、前記第2の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、前記第1の絶縁膜は、酸素を有し、前記第2の絶縁膜は、水素を有し、前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜と接する第1の領域と、前記第2の絶縁膜と接する第2の領域と、を有し、前記第1の絶縁膜は、前記第1の領域と重なる第3の領域と、前記第2の領域と重なる第4の領域と、を有し、前記第4の領域は、前記第3の領域よりも不純物元素の濃度が高い、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , G09F 9/30 , G02F 1/136

FI (9件)：

H01L29/78 616S , H01L29/78 618B , H01L29/78 617S , H01L29/78 626C , H01L29/78 616V , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , G09F9/30 338 , G02F1/1368

Fターム (134件)：

2H192AA24 , 2H192BC31 , 2H192BC72 , 2H192BC82 , 2H192CB02 , 2H192CB08 , 2H192CB37 , 2H192CB42 , 2H192CB52 , 2H192CB53 , 2H192CB83 , 2H192CC32 , 2H192DA12 , 2H192EA22 , 2H192EA43 , 2H192EA76 , 2H192FA73 , 2H192FB02 , 2H192FB33 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107BB03 , 3K107CC14 , 3K107CC33 , 3K107CC43 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107EE61 , 3K107FF01 , 3K107FF14 , 3K107FF15 , 3K107HH05 , 5C094AA15 , 5C094AA21 , 5C094AA22 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA23 , 5C094BA27 , 5C094BA31 , 5C094BA43 , 5C094BA62 , 5C094BA75 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB02 , 5C094FB05 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094HA07 , 5C094HA08 , 5F110AA07 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG51 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ02 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ30 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP35 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置および半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-134515 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-277272 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタ、及びその製造方法、並びに、アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-117237 出願人：三菱電機株式会社

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