特許
J-GLOBAL ID：201903013295297864

スイッチング層および中間電極層を有した抵抗性スイッチングデバイス並びにその形成方法

発明者：
ジョン アール ジェイムソン 三世

ジョン アール ジェイムソン 三世 について

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ジョン イー サンチェス

ジョン イー サンチェス について

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ウェイ ティー リー

ウェイ ティー リー について

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イー マ

イー マ について

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ヴェンカテシュ ピー ゴピナス

ヴェンカテシュ ピー ゴピナス について

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フォローザン サラ コウシャン

フォローザン サラ コウシャン について


出願人/特許権者：
アデスト テクノロジーズ コーポレーション

アデスト テクノロジーズ コーポレーション について


代理人 (1件)： 片寄 恭三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-208650
公開番号（公開出願番号）：特開2019-050403
出願日： 2018年11月06日
公開日（公表日）： 2019年03月28日
要約：
【課題】スイッチング層および中間電極層を有した抵抗性スイッチングデバイスおよびその形成方法を提供する。【解決手段】抵抗性スイッチングデバイス11は、基板上に配置され、且つ第1の電位ノードに結合された第1の電極層120を含む。スイッチング層130は、第1の電極層120上に配置される。導電性アモルファス層140は、スイッチング層130上に配置される。第2の電極層150は、導電性アモルファス層140上に配置され、且つ、第2の電位ノードに結合される。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
第1の電位ノードに結合され、基板上に配置される第1の電極と、 前記第1の電極上に配置されるスイッチング層と、 前記スイッチング層上に配置される導電性アモルファス層と、 前記導電性アモルファス層上に配置され、かつ第2の電位ノードに結合される第2の電極とを含み、 前記導電性アモルファス層は、テルルおよび第IV族元素を含む単一の層であり、前記導電性アモルファス層の一方の面が前記スイッチング層に接し、当該一方の面と対向する他方の面が前記第2の電極に接し、 前記スイッチング層は、金属酸化物、遷移金属酸化物、希土類の金属酸化物、非金属酸化物、高誘電体、無機絶縁体、有機材料、シリケート、ナイトライド、オキシナイトライド、カルコゲニド、硫化物、セレン化物、テルル化物からなる材料のいずれか1つの材料を含む、抵抗性スイッチングデバイス。
IPC (4件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (3件)：
H01L27/105 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (15件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA12
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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