記憶素子及び記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 磯山弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182775
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197634
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】情報の記録及び読み出しを容易に安定して行うことができ、比較的簡単な製造方法で容易に製造することができる記憶素子を提供する。【解決手段】第1の電極2と第2の電極6との間に記憶用薄膜4が挟まれて構成され、記憶用薄膜4に少なくとも希土類元素が含まれており、記憶用薄膜内もしくは記憶用薄膜4と接している層3に、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれ、記憶用薄膜内もしくは記憶用薄膜4と接している層3に、Te,S,Seから選ばれるいずれかの元素が含まれている記憶素子10を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と、第2の電極との間に、記憶用薄膜が挟まれて構成され、前記記憶用薄膜に、少なくとも希土類元素が含まれており、前記記憶用薄膜内、もしくは、前記記憶用薄膜と接している層に、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれ、前記記憶用薄膜内、もしくは、前記記憶用薄膜と接している層に、Te,S,Seから選ばれるいずれかの元素が含まれていることを特徴とする記憶素子。

IPC (2件)：

H01L27/10 , H01L45/00

FI (4件)：

H01L27/10 448 , H01L27/10 431 , H01L45/00 A , H01L45/00 B

Fターム (13件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083PR03 , 5F083PR04 , 5F083PR07

引用特許：

出願人引用 (1件)

プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-599033 出願人：アリゾナボードオブリージェンツ

審査官引用 (6件)

特開昭49-017184
電気的消去可能型相転移メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-006940 出願人：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド
ポイントコンタクト・アレー
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-334686 出願人：科学技術振興事業団, 理化学研究所

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