特許
J-GLOBAL ID：201903013758700566
レベルシフタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片寄 恭三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-031480
公開番号（公開出願番号）：特開2019-149596
特許番号：特許第6588116号
出願日： 2018年02月26日
公開日（公表日）： 2019年09月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】一方の電極に第1の電圧レベルが供給され、他方の電極に第1のノードが接続され、ゲートに第2のノードが接続された第1のPMOSトランジスタと、
一方の電極に第1の電圧レベルが供給され、他方の電極に前記第2のノードが接続され、ゲートに前記第1のノードが接続された第2のPMOSトランジスタと、
一方の電極に前記第1のノードが接続され、他方の電極に第1のイネーブル信号が供給され、ゲートに第1の制御信号が接続されたイントリンシック型の第1のNMOSトランジスタと、
一方の電極に前記第2のノードが接続され、他方の電極に前記第1のイネーブル信号の論理レベルを反転した第2のイネーブル信号が供給され、ゲートに第2の制御信号が接続されたイントリンシック型の第2のNMOSトランジスタと、
第2の電圧レベルまたは第3の電圧レベルの入力信号を入力する入力ノードと、
第2の電圧レベルで駆動され、前記入力信号に基づき前記第1の制御信号および前記第2の制御信号を生成する制御回路と、
前記入力信号に応答して、前記第1のノードおよび前記第2のノードの一方の信号に基づき第1の電圧レベルまたは第3の電圧レベルの出力信号を出力する出力ノードとを有し、
前記第1のイネーブル信号は、前記入力信号と同じ論理レベルを有し、前記第2のイネーブル信号は、前記入力信号の論理レベルを反転した論理レベルを有し、
前記第1の制御信号は、第1のNMOSトランジスタを導通させて第1のノードを充電させた一定時間経過後に、第1のNMOSトランジスタを非導通状態にし、前記第2の制御信号は、第2のNMOSトランジスタを導通させて前記第2のノードを充電させた一定時間経過後に、第2のNMOSトランジスタを非導通状態にする、レベルシフタ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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電圧変換器
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-002682
出願人：日鉄セミコンダクター株式会社, ユナイテッドメモリーズインコーポレイテッド
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半導体集積回路装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-325465
出願人：株式会社東芝
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