特許
J-GLOBAL ID：201903013953142101

熱電変換素子、光検出器、画像素子及び光熱電変換素子

発明者：
久保 若奈

久保 若奈 について

, 
近藤 柾樹

近藤 柾樹 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東京農工大学

国立大学法人東京農工大学 について


代理人 (3件)： 棚井 澄雄 ,  鈴木 史朗 ,  宮本 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-034731
公開番号（公開出願番号）：特開2019-192904
出願日： 2019年02月27日
公開日（公表日）： 2019年10月31日
要約：
【課題】高温熱源や低温熱源を外部に必要としない、従来の構成とは全く異なる構成の熱電変換素子を提供することである。【解決手段】本発明の熱電変換素子10は、熱電変換膜1と、熱電変換膜の一部の内部に配設された導電性ナノ構造体2と、を備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
熱電変換膜と、 前記熱電変換膜の一部の内部又は表面に配設された導電性ナノ構造体と、を備えた熱電変換素子。
IPC (6件)：
H01L 35/30 ,  H01L 35/26 ,  H01L 35/24 ,  H01L 35/14 ,  H01L 31/023 ,  G01J 1/02
FI (6件)：
H01L35/30 ,  H01L35/26 ,  H01L35/24 ,  H01L35/14 ,  H01L31/02 D ,  G01J1/02 R
Fターム (12件)：
2G065AB02 ,  2G065AB04 ,  2G065BA01 ,  2G065BA32 ,  5F849AA20 ,  5F849AB01 ,  5F849BA30 ,  5F849BB03 ,  5F849EA04 ,  5F849HA15 ,  5F849LA01 ,  5F849XB05
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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