特許

J-GLOBAL ID：201903014290811299

反射鏡、面発光レーザ、反射鏡の製造方法及び面発光レーザの製造方法

発明者： 川島 毅士 ,  佐藤 俊一 ,  上西 盛聖 ,  岩田 浩和
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-233726
公開番号（公開出願番号）：特開2019-153779
出願日： 2018年12月13日
公開日（公表日）： 2019年09月12日
要約：

【課題】放熱性を向上することができる反射鏡、面発光レーザ、反射鏡の製造方法及び面発光レーザの製造方法を提供する。【解決手段】反射鏡100は、第1の平均屈折率を有する低屈折率層102と、第1の平均屈折率よりも高い第2の平均屈折率を有する高屈折率層103とを備える。低屈折率層102はAlN層102aとGaN層102bとが交互に積層された積層構造を有し、高屈折率層103はInGaN層を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の平均屈折率を有する低屈折率層と、前記第1の平均屈折率よりも高い第2の平均屈折率を有する高屈折率層とを備え、 前記低屈折率層はAlN層とGaN層とが交互に積層された積層構造を有し、前記高屈折率層はInGaN層を有することを特徴とする反射鏡。

IPC (2件)：

H01S 5/183 ,  H01S 5/42

FI (2件)：

H01S5/183 ,  H01S5/42

Fターム (10件)：

5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC14 ,  5F173AD04 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP33 ,  5F173AR72

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-103216   出願人：サンケン電気株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-237591   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-103216   出願人：サンケン電気株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-237591   出願人：キヤノン株式会社