特許
J-GLOBAL ID：200903005726643277
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-103216
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291896
出願日： 2000年04月05日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 消費電力及び動作電圧の低い半導体発光素子の低コスト化が困難であった。【解決手段】 シリコンから成る低抵抗性基板11の上に低屈折率層12aと高屈折率層12bとを交互に複数層形成した超格子DBR層12を設ける。超格子DBR層12の上に窒化ガリウムから成るn形半導体領域13、窒化ガリウムインジウムから成る活性層14、窒化ガリウムから成るp形半導体領域15を順次に形成する。p形半導体領域15の上にアノード電極17を設け、低抵抗性基板11にカソード電極18を設ける。
請求項（抜粋）：
低抵抗性基板と、前記低抵抗性基板の一方の主面上に形成された導電性を有する反射領域と、前記反射領域の上に形成されており且つ窒化ガリウム系化合物から成る第1の導電形の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の上に形成されており且つ窒化ガリウム系化合物から成り且つ前記第1の導電形と反対の第2の導電形を有している第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の表面上の一部に形成された第1の電極と、前記低抵抗性基板の他方の主面に形成された第2の電極とを備え、前記反射領域は、相対的に低い屈折率を有する低屈折率領域と、前記低屈折率領域の屈折率よりも大きい屈折率を有する高屈折率領域とが交互に積層されたものから成り、前記低屈折率領域はバリア層と井戸層とが交互に積層されたものから成り、前記高屈折率領域は井戸層とバリア層とが交互に積層されたものから成り、前記高屈折率領域の井戸層はIn(インジウム)を含む窒化化合物から成り、前記低屈折率領域のバリア層及び井戸層、及び前記高屈折率領域のバリア層はInを含まないか又は前記高屈折率領域の井戸層のInの含有率よりも低い含有率でInを含む窒化化合物から成ることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (10件)：
5F041AA03
, 5F041AA24
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CB15
