特許
J-GLOBAL ID：201903014469501462
半導体構造、集積回路構造、及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-077178
公開番号（公開出願番号）：特開2018-129533
特許番号：特許第6602910号
出願日： 2018年04月12日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1方向に沿って最長寸法を有する第1フィンと、
前記第1方向に沿って最長寸法を有する第2フィンと、
前記第1方向と直交する第2方向に沿って最長寸法を有する、前記第1フィンの上の第1ゲート構造と、
前記第2方向に沿って最長寸法を有し、前記第2方向に沿って前記第1ゲート構造とは非連続であり、前記第2方向に沿って前記第1ゲート構造のエッジに面するエッジを有する、前記第2フィンの上の第2ゲート構造と、
前記第2方向に沿って、前記第1ゲート構造の前記エッジと前記第2ゲート構造の前記エッジとの間にあり、前記第1ゲート構造の前記エッジと前記第2ゲート構造の前記エッジと接触し、前記第1方向に沿った前記第1ゲート構造および前記第2ゲート構造の長さよりも長い前記第1方向に沿った長さを有する、ゲートエッジ分離構造と、
前記ゲートエッジ分離構造と横方向に隣接しかつ接触し、前記ゲートエッジ分離構造の組成とは異なる組成を有する絶縁体材料と、
を備え、
前記第1ゲート構造が第1ゲート絶縁体層および第1ゲート電極を備え、
前記第2ゲート構造が第2ゲート絶縁体層および第2ゲート電極を備え、
前記ゲートエッジ分離構造は、前記第1ゲート構造のゲート絶縁体層および前記第2ゲート構造のゲート絶縁体層と接触する、集積回路構造。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 301 C
, H01L 29/78 301 Y
, H01L 29/78 301 G
, H01L 27/092 D
, H01L 27/092 F
