制御可能な金属およびバリアライナー凹部のための方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田・小林特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-229311
公開番号（公開出願番号）：特開2019-106538
出願日： 2018年12月06日
公開日（公表日）： 2019年06月27日
要約：

【課題】金属層および金属含有バリア層を所定の深さまでエッチングする方法を提供すること。【解決手段】いくつかの実施形態では、金属層および金属含有バリア層が、第1の誘電体およびその上の第2の誘電体を備えた基板の上に形成されている。金属層および金属含有バリア層は、第1の誘電体および第2の誘電体の中のフィーチャーの中に形成されている。いくつかの実施形態では、金属層および金属含有バリア層は、誘電材料の中に形成されたフィーチャーからシーケンシャルにエッチングされ得る。いくつかの実施形態では、誘電材料の中に形成されたフィーチャーの側壁部は、誘電材料の接着特性を変化させるために不動態化される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板を提供することであって、前記基板は、第1の誘電材料を含み、第2の誘電材料が前記第1の誘電材料の上に堆積された状態になっており、前記第2の誘電材料は、所定の厚さを有しており、前記基板は、少なくとも1つのフィーチャーを含み、前記少なくとも1つのフィーチャーは、前記第1の誘電材料および前記第2の誘電材料の中に形成されており、前記少なくとも1つのフィーチャーは、少なくとも1つの側壁部および底部を有しており、前記フィーチャーの深さは、前記第2の誘電材料の上部表面から前記フィーチャーの前記底部へ定義されており、バリア層が、前記少なくとも1つの側壁部および前記底部の上に形成されており、金属層が、前記バリア層の上に形成され、前記少なくとも1つのフィーチャーの前記深さを充填している、基板を提供することと、前記金属層および前記バリア層をエッチングし、前記金属層の深さを凹んだ深さまで減少させ、前記第2の誘電材料の前記側壁部から前記バリア層を除去することとを含む加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 23/532

FI (2件)：

H01L21/90 B , H01L21/90 M

Fターム (18件)：

5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH19 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN32 , 5F033PP06 , 5F033QQ19 , 5F033QQ31 , 5F033QQ48 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR29 , 5F033TT02 , 5F033TT07

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の配線層構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-170380 出願人：ソニー株式会社
バリア層の除去方法及び半導体構造体の形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2017-520881 出願人：エーシーエムリサーチ(シャンハイ)インコーポレーテッド
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-187995 出願人：株式会社東芝

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