低K誘電層を処理して拡散を減少させる方法および装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-215713
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176100
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】酸素の拡散に抵抗し、低酸素含有量を有する低誘電率の層を堆積する方法および装置を提供する。【解決手段】層は、低誘電率の層を不活性ガスのプラズマに暴露して低誘電率の層を高密度化するか、低誘電率の層を硝化プラズマに暴露して層234上にパッシベーション窒化物表面236を形成するか、或いは低誘電率層234上に薄いパッシベーション層236を堆積してその中の酸素拡散を低減することにより、形成可能である。低誘電率の層はin-situで堆積し処理することができる。

請求項（抜粋）：

基板の処理方法であって、前記方法は:処理チャンバ内で基板上に低誘電率の層を堆積するステップと;前記処理チャンバ内に処理ガスを導入するステップと;前記処理チャンバ内で前記処理ガスのプラズマを発生させるステップと;前記低誘電率の層を前記処理ガスのプラズマに暴露するステップと、を含む、基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/314

FI (3件)：

H01L 21/314 M , H01L 21/314 Z , H01L 21/90 K

Fターム (29件)：

5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033QQ00 , 5F033QQ04 , 5F033QQ25 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS15 , 5F033XX12 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058BA05 , 5F058BA10 , 5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BH16 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

ハロゲンをドープした酸化珪素膜の膜安定性を改良する方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-284992 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-232671 出願人：株式会社東芝
拡散障壁層およびこれを含む半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-033679 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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