特許
J-GLOBAL ID：201903014941731620
高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
好宮 幹夫
, 小林 俊弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-022667
公開番号（公開出願番号）：特開2018-098520
特許番号：特許第6564081号
出願日： 2018年02月13日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第一導電型を有する半導体基板の第一主表面に、前記第一主表面に形成された細長の凹部上に配置され、前記第一導電型を有するベース層、及び、前記ベース層に隣接し、前記第一導電型と反対の導電型である第二導電型を有するエミッタ層を有し、
前記ベース層と電気的に接続されるベース電極と、
前記エミッタ層と電気的に接続されるエミッタ電極と
を有する太陽電池であって、
前記第一主表面上において、前記ベース層及び前記エミッタ層に接する誘電体膜を有し、
前記エミッタ電極を覆うとともに、前記誘電体膜上に位置し、少なくとも前記ベース層上において間隙を有し、かつ、前記凹部の内部にも位置するように配置された第一の絶縁膜を有し、
少なくとも前記第一の絶縁膜の上に位置するベース用バスバー電極を有し、
前記ベース層の前記半導体基板の第一主表面に表れる形状が細長であり、その幅が50μm以上200μm以下であり、
前記第一の絶縁膜の間隙の距離が40μm以上Wμm未満(但し、Wは間隙方向のベース層の幅)であることを特徴とする太陽電池。
IPC (3件)：
H01L 31/0224 ( 200 6.01)
, H01L 31/068 ( 201 2.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
H01L 31/04 262
, H01L 31/06 300
, H01L 29/44 P
