結晶積層体、半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法

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出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：福岡昌浩 , 橘高英郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-105756
公開番号（公開出願番号）：特開2018-200983
出願日： 2017年05月29日
公開日（公表日）： 2018年12月20日
要約：

【課題】イオン注入後の結晶に対するアニール処理を短時間かつ正確に行う。【解決手段】InxAlyGa1-x-yNの組成式(但し、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表されるIII族窒化物の単結晶からなり、Si、GeおよびOからなる群より選択される少なくともいずれかのn型不純物を含有する結晶基板と、結晶基板の主面上にIII族窒化物の結晶がエピタキシャル成長してなり、C、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群より選択される少なくともいずれかのp型不純物がイオン注入される結晶層と、を備え、2000nmの波長の光を照射したときの結晶基板の吸収係数が、常温の温度条件下において、1.8cm-1以上4.6cm-1以下の範囲内に収まるよう構成されている結晶積層体。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

InxAlyGa1-x-yNの組成式(但し、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表されるIII族窒化物の単結晶からなり、Si、GeおよびOからなる群より選択される少なくともいずれかのn型不純物を含有する結晶基板と、前記結晶基板の主面上にIII族窒化物の結晶がエピタキシャル成長してなり、C、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群より選択される少なくともいずれかのp型不純物を含む結晶層と、を備え、 2000nmの波長の光を照射したときの前記結晶基板による前記光の吸収係数が、常温の温度条件下において、1.8cm-1以上4.6cm-1以下の範囲内に収まるよう構成されている結晶積層体。

IPC (5件)：

H01L 21/265 , C30B 29/38 , C30B 31/22 , C23C 16/34 , H01L 21/20

FI (5件)：

H01L21/265 601A , C30B29/38 D , C30B31/22 , C23C16/34 , H01L21/20

Fターム (46件)：

4G077AA02 , 4G077AB04 , 4G077BE15 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077FD02 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TB04 , 4G077TK02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 5F045AA05 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF04 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DP03 , 5F045DP09 , 5F045EK06 , 5F045HA15 , 5F045HA16 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL12 , 5F152MM03 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152NN09 , 5F152NN27 , 5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

エピタキシャル基板および半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-238961 出願人：住友電気工業株式会社
窒化物系半導体基板及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-281195 出願人：日立電線株式会社
GaN基板および発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-102320 出願人：住友電気工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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