特許
J-GLOBAL ID：201903017883036282
偏倚されたパルスCMP溝パターン
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 津国
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-111068
公開番号（公開出願番号）：特開2019-022931
出願日： 2018年06月11日
公開日（公表日）： 2019年02月14日
要約：
【課題】ケミカルメカニカル研磨中、除去速度を高め、スラリーの使用量を少なくし、全体的な均一性を改善し、かつ欠陥を減少させるに適している研磨パッドを提供する。【解決手段】研磨層内に研磨層を研磨領域に分離している放射状供給溝を含む。放射状供給溝は、少なくとも、研磨パッドの中心近傍の位置から外縁部近傍の位置まで延在している。各研磨領域は、2つの隣接する放射状供給溝を接続する一連の偏倚された溝構造を含んでいる。偏倚された溝の大部分は、研磨パッドの中心近傍の方への内側への偏倚、又は研磨パッドの外縁部の方へ研磨流体を向けるための外側への偏倚のいずれかを有している。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体基板、光学基板、及び磁性基板の少なくとも1つのウェーハを研磨又は平坦化するのに適した研磨パッドであって、前記研磨パッドは、
ポリマーマトリックスと厚さとを有する研磨層であり、
前記研磨層が、中心、外縁部、および前記研磨パッドの前記中心から前記外縁部へ延在する半径を含む、前記研磨層と;
前記研磨層を複数の研磨領域に分割する、前記研磨層内の放射状供給溝であり、
前記放射状供給溝が、前記研磨パッドの少なくとも前記中心に近接する位置から前記外縁部に近接する位置まで延在する、前記放射状供給溝;及び
一対の隣接する放射状供給溝を接続する一連の偏倚された溝を含む各研磨領域であり、
前記偏倚された溝の大部分が、前記研磨パッドの前記中心に向けての内側への偏倚、又は、前記研磨パッドの前記外縁部に向けての外側への偏倚、のいずれかを有し、
前記内側へ、及び、外側へ偏倚された両方の溝が、研磨流体を、前記研磨パッドの前記外縁部に向けて移動、且つ、内側への偏倚、若しくは、外側への偏倚、及び、前記研磨パッドの回転方向に依存して、前記ウェーハの方へ、又は、前記ウェーハから離れるように移動させるために存在し、
偏倚された溝の総数が、放射状供給溝の総数の少なくとも15倍である、前記各研磨領域と、
を備えている、
上記研磨パッド。
IPC (3件)：
B24B 37/26
, H01L 21/304
, B24B 37/24
B24B37/26
, H01L21/304 622F
, B24B37/24 B
3C158AA07
, 3C158CB01
, 3C158CB03
, 3C158DA12
, 3C158DA17
, 3C158EB01
, 3C158EB06
, 3C158EB29
, 5F057AA03
, 5F057AA14
, 5F057AA24
, 5F057AA44
, 5F057BA11
, 5F057BB23
, 5F057BB25
, 5F057BB32
, 5F057BB34
, 5F057CA12
, 5F057DA03
, 5F057EB03
, 5F057EB08
