特許
J-GLOBAL ID:201903018731229626
検知のための方法及びシステム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鷲田 公一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-530022
公開番号(公開出願番号):特表2018-538535
出願日: 2016年12月08日
公開日(公表日): 2018年12月27日
要約:
検知素子は、ゲート電極、ソース電極、ゲート電極、及び当該ソース電極と当該ゲート電極との間を接続する半導体ナノ構造体を有するトランジスタを備える。当該半導体ナノ構造体は、そこに共有結合した官能性部分によって修飾されている。電圧源は、当該ゲート電極に接続される。制御装置は、官能性部分が酸化還元反応剤と接触したときに生じる酸化還元反応を逆転させるために、電圧源によってゲート電極に印加されるゲート電圧を制御する。【選択図】 図10
請求項(抜粋):
電気特性の変化を検出するためのシステムであって、
ゲート電極と半導体ナノ構造体とを有するトランジスタを備え、前記半導体ナノ構造体は、ソース電極及びゲート電極の間を接続し、前記半導体ナノ構造体に共有結合した官能性部分によって修飾されている検知素子と、
前記ゲート電極に接続された電圧源と、
前記官能性部分が酸化還元反応剤と接触したときに生じる酸化還元反応を逆転させるために、前記電圧源によって前記ゲート電極に印加されるゲート電圧を制御するように構成された制御装置と、
前記ナノ構造体の電気特性の変化を検出する回路と
を具備するシステム。
IPC (2件):
FI (3件):
G01N27/414 301V
, C12M1/34 Z
, G01N27/414 301L
Fターム (5件):
4B029AA07
, 4B029BB11
, 4B029FA15
, 4B029GB06
, 4B029GB09
引用特許:
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