特許
J-GLOBAL ID：201903018792156400

負極の作製方法、及び二次電池の作製方法

発明者：
廣橋 拓也

廣橋 拓也 について

, 
足立 駿介

足立 駿介 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-187335
公開番号（公開出願番号）：特開2018-200907
出願日： 2018年10月02日
公開日（公表日）： 2018年12月20日
要約：
【課題】電気機器に用いることのできる、リチウムイオンを透過するグラフェンを提供する。【解決手段】グラフェン中に、環員数が9以上の炭素環を設ける。環員数が9以上の炭素環は、リチウムイオンに対する最大ポテンシャルがほぼ0電子ボルトであるため、リチウムイオンが透過する間隙として機能させることができる。このようなグラフェンを電極や活物質表面に被覆すると、リチウムイオンの移動を妨げずに、電極や活物質と電解液との反応を抑制できる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
酸化グラフェンを溶媒に分散させた溶液に、シリコン活物質層が形成された集電体を浸漬する第1の工程と、 前記第1の工程の後に、前記集電体を乾燥させる第2の工程と、 前記第2の工程の後に、還元性の雰囲気中において、前記集電体を200度以上で加熱する第3の工程と、 前記第1の工程乃至前記第3の工程を繰り返し行う第4の工程と、を有し、 前記第1乃至前記第4の工程により、前記シリコン活物質層の表面に多層のグラフェンを形成し、 前記グラフェンは、間隙を有する負極の作製方法。
IPC (4件)：
H01M 4/139 ,  H01M 4/62 ,  H01M 10/056 ,  H01M 10/058
FI (4件)：
H01M4/1395 ,  H01M4/62 Z ,  H01M10/0566 ,  H01M10/058
Fターム (31件)：
5H029AJ02 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK01 ,  5H029AK03 ,  5H029AL11 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ13 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ13 ,  5H029CJ28 ,  5H029EJ04 ,  5H029HJ14 ,  5H050AA02 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA15 ,  5H050BA16 ,  5H050CA01 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB11 ,  5H050EA08 ,  5H050FA04 ,  5H050GA02 ,  5H050GA13 ,  5H050GA26 ,  5H050GA27 ,  5H050HA14
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM