特許

J-GLOBAL ID：201903018976674340

半導体記憶装置

発明者： 岡部 翔
出願人/特許権者： ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション
代理人 (1件)： 片寄 恭三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-083559
公開番号（公開出願番号）：特開2019-192318
出願日： 2018年04月25日
公開日（公表日）： 2019年10月31日
要約：

【課題】 読出し動作時のピーク電流を抑制する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明のフラッシュメモリ100は、メモリセルアレイ110と、複数のチャージポンプ回路200-1、200-2、...200-nと、メモリセルアレイの選択されたページを読み出す読出し手段と、読出し手段による読出しが行われるとき、複数のチャージポンプ回路200-1、200-2、...200-nを活性化するタイミングを制御するコントローラ140とを備える。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイと、 複数のチャージポンプ回路と、 前記メモリセルアレイの選択されたページを読み出す読出し手段と、 前記読出し手段による読出しが行われるとき、前記複数のチャージポンプ回路を活性化するタイミングを制御する制御手段と、 を有する半導体記憶装置。

IPC (8件)：

G11C 16/30 ,  H02M 3/07 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 5/14 ,  G11C 16/26

FI (7件)：

G11C16/30 100 ,  H02M3/07 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11529 ,  H01L29/78 371 ,  G11C5/14 400 ,  G11C16/26 100

Fターム (27件)：

5B225BA01 ,  5B225CA04 ,  5B225CA25 ,  5B225DA03 ,  5B225EA05 ,  5B225EF25 ,  5B225EG05 ,  5B225EG06 ,  5B225EG19 ,  5B225EH02 ,  5B225FA02 ,  5B225FA06 ,  5F083EP01 ,  5F083EP22 ,  5F083EP32 ,  5F101BA00 ,  5F101BB02 ,  5F101BD22 ,  5H730AA02 ,  5H730AA04 ,  5H730AS04 ,  5H730AS19 ,  5H730BB02 ,  5H730BB82 ,  5H730BB88 ,  5H730FD01 ,  5H730FG01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置および昇圧回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-090386   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置及びそのリードアクセス方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-286965   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 電圧発生回路及びその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-022714   出願人：スパンションエルエルシー