特許
J-GLOBAL ID：201903018989856587
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 稔
, 小淵 景太
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-019422
公開番号（公開出願番号）：特開2019-140149
出願日： 2018年02月06日
公開日（公表日）： 2019年08月22日
要約：
【課題】半導体装置を薄型化し、かつ、歩留まりを向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法において、厚さ方向において互いに反対側を向く表面110および裏面120を有する基板材料100に、配線部20を形成する工程と、配線部20に、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面312および素子裏面を有する半導体素子31を、素子主面312を表面110に向けて搭載する工程と、表面110と素子主面312との間にアンダーフィル5を形成する工程と、素子裏面を露出させたレジスト層805を形成する工程と、素子裏面にエッチングを施すことで、湾曲した素子裏面313にする工程と、レジスト層805を除去する工程と、半導体素子31を覆う封止樹脂を形成する工程とを備えた。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面を有する半導体素子を備えており、
前記半導体素子は、前記素子裏面が湾曲している、
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L23/12 501B
, H01L23/12 501S
, H01L23/30 B
4M109AA02
, 4M109BA03
, 4M109DA07
, 4M109DB17
, 4M109EA02
