特許
J-GLOBAL ID：201003094303271121
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-049239
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205893
出願日： 2009年03月03日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】半導体素子近傍の反りを抑制し、信頼性を改善するとともに、より薄型、高密度な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】片面にパッドを有する半導体素子1と、半導体素子1を内蔵する絶縁層2と、絶縁層2上に配設された配線層3と、絶縁層2に埋め込まれるとともに、対応する配線層3と半導体素子1の前記パッドとを電気的に接続するビア接続部4と、半導体素子1の前記パッド側の反対側の裏面上に配設された接着層5と、を備え、半導体素子1の前記裏面は、少なくとも一部に窪み6又は凹部を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
片面にパッドを有する半導体素子と、
前記半導体素子を内蔵する絶縁層と、
前記絶縁層上に配設された配線層と、
前記絶縁層に埋め込まれるとともに、対応する前記配線層と前記半導体素子の前記パッドとを電気的に接続するビア接続部と、
前記半導体素子の前記パッド側の反対側の裏面上に配設された接着層と、
を備え、
前記半導体素子の前記裏面は、少なくとも一部に窪み又は凹部を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L23/12 F
, H01L25/08 Z
, H01L23/12 N
