特許
J-GLOBAL ID：201903020139227364
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-054206
公開番号（公開出願番号）：特開2018-137455
特許番号：特許第6549272号
出願日： 2018年03月22日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、金属を有する第1の層を形成し、
前記第1の層上に、酸素を有する第2の層を形成し、
前記第2の層上に、下地絶縁層を形成し、
前記下地絶縁層上に、第1のトランジスタ、及び第2のトランジスタを形成し、
前記基板を介してレーザ光を、前記第1の層へ照射し(但し、レーザ光の照射により、前記第1の層の構成材料にアブレーションが生じる場合、前記第1の層に含まれているガスの放出が生じる場合、及び前記第1の層の構成材料に相変化を生じる場合を除く)、
前記基板及び前記第1の層を、前記第2の層から剥離する半導体装置の作製方法であって、
前記第1のトランジスタは画素部に配置されたものであり、
前記第2のトランジスタは駆動回路部に配置されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (8件)：
H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, G09F 9/00 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/10 ( 200 6.01)
, H01L 27/32 ( 200 6.01)
H01L 27/12 B
, H01L 29/78 627 D
, G09F 9/00 342
, H05B 33/14 A
, H05B 33/10
, H01L 27/32
