特許
J-GLOBAL ID：200903009768471919

薄膜デバイス装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板および電気光学装置

発明者：
宇都宮 純夫

宇都宮 純夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-224332
公開番号（公開出願番号）：特開2001-051296
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 薄膜デバイスを損傷することなく基板から剥離して、他の基板に転写することのできる薄膜デバイス装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、および電気光学装置を提供すること。【解決手段】 薄膜デバイス装置を製造するにあたって、第1の工程で第1の基材100上に水素含有のアモルファスシリコン膜からなる第1の分離層120を形成した後、第2の工程で第1の分離層120上に薄膜デバイス層140を形成する。次に、第3の工程で薄膜デバイス層140の上に第2の基材180を接着した後、第1の分離層120にレーザ光を照射して第1の分離層120においてアモルファスシリコン膜からポリシリコン膜への相転移と水素ガスの発生を行って第1の分離層120で剥離現象を発生させ、第1の基材100を剥がす。この工程では、レーザ光のエネルギー密度を最初は低く、水素が抜けていくに伴って高くしていく。
請求項（抜粋）：
第1の基材上に第1の分離層を形成する第1の工程と、前記第1の分離層上に薄膜デバイスを形成する第2の工程と、前記薄膜デバイスの前記第1の基材と反対側に第2の基材を接着する第3の工程と、前記第1の分離層の層内または該第1の分離層の界面のうちの少なくとも一方で剥離現象を生じさせることにより前記第1の基材を前記薄膜デバイス側から剥がして当該薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写する第4の工程と、を有する薄膜デバイス装置の製造方法であって、前記第1の工程では、前記第1の分離層として、当該第1の分離層へのエネルギー光の照射によってガスを発生させる元素を含有するアモルファスシリコン膜を形成し、前記第4の工程では、前記第1の分離層にエネルギー光を照射して前記剥離現象を起こさせるとともに、当該エネルギー光のエネルギー密度を低密度から高密度に変化させることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
IPC (7件)：
G02F 1/1365 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/268 E ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 29/78 627 D
Fターム (35件)：
2H092KA05 ,  2H092MA08 ,  2H092NA17 ,  2H092NA27 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA51 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA03 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FB14 ,  5C094GB01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF21 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN05 ,  5F110PP03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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