特許

J-GLOBAL ID：201903020481202594

磁気記録媒体および磁気記憶装置

発明者： 日向 慎太朗 ,  齊藤 伸 ,  福島 隆之 ,  大橋 栄久 ,  丹羽 和也 ,  張 磊 ,  村上 雄二 ,  柴田 寿人 ,  山口 健洋 ,  神邊 哲也 ,  茂 智雄
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-113605
公開番号（公開出願番号）：特開2018-206457
出願日： 2017年06月08日
公開日（公表日）： 2018年12月27日
要約：

【課題】L10型結晶構造を有する合金を含む磁性層の良好な(001)配向性を維持しつつ、かつ、磁性層を構成する磁性粒子を微細化させることが可能な磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁気記録媒体100は、基板1、バリア層2、結晶粒径制御層3、L10型結晶構造を有し、面方位が(001)である合金を含む磁性層4をこの順で有する。バリア層2は、酸化物、窒化物または炭化物を含む。結晶粒径制御層3は、Agを含む結晶質の層であり、平均厚さが0.1nm〜1nmの範囲内である。バリア層2は、結晶粒径制御層3と接している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板、バリア層、結晶粒径制御層、L10型結晶構造を有し、面方位が(001)である合金を含む磁性層をこの順で有し、 前記バリア層は、酸化物、窒化物または炭化物を含み、 前記結晶粒径制御層は、Agを含む結晶質の層であり、平均厚さが0.1nm〜1nmの範囲内であり、 前記バリア層は、前記結晶粒径制御層と接していることを特徴とする磁気記録媒体。

IPC (2件)：

G11B 5/738 ,  G11B 5/65

FI (2件)：

G11B5/738 ,  G11B5/65

Fターム (5件)：

5D006BB07 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06 ,  5D006FA09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気記録媒体および磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-155779   出願人：昭和電工株式会社
• 垂直磁気記録媒体及びその製造方法ならびにそれを用いた磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-006507   出願人：株式会社日立製作所