特許
J-GLOBAL ID：201903020657684400
圧電セラミック電子部品の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國弘 安俊
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-527489
特許番号：特許第6489333号
出願日： 2016年07月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくともNb、Li、Zr、2価の金属元素、及びMnを含有した圧電セラミック素体を形成する圧電セラミック電子部品の製造方法であって、
前記Liの含有量が、前記Nb1モル部に対し0.025モル部以上0.080モル部以下となるように、少なくともNb化合物及びLi化合物を混合して仮焼し、ぺロブスカイト型構造の第1の仮焼粉末を作製する工程と、
前記2価の金属元素の含有モル量が、前記Nb1モル部に対し0.045モル部以上0.086モル部以下であって前記2価の金属元素及び前記Liの含有モル量の総計が前記Nb1モル部に対し0.076モル部以上0.166モル部以下となるように、金属元素化合物、Zr化合物、及び前記第1の仮焼粉末を混合して仮焼し、第2の仮焼粉末を作製する工程と、
Mn化合物を前記第2の仮焼粉末に添加し、前記Mn化合物及び前記第2の仮焼粉末の混合物とNiを含む電極材料とを一体的に成形し、成形体を作製する工程と、
前記成形体を還元性雰囲気下で焼成する工程とを含むことを特徴とする圧電セラミック電子部品の製造方法。
IPC (6件)：
C04B 35/495 ( 200 6.01)
, H01L 41/187 ( 200 6.01)
, H01L 41/083 ( 200 6.01)
, H01L 41/047 ( 200 6.01)
, H01L 41/43 ( 201 3.01)
, H02N 2/04 ( 200 6.01)
C04B 35/495
, H01L 41/187
, H01L 41/083
, H01L 41/047
, H01L 41/43
, H02N 2/04
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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