特許
J-GLOBAL ID：201903020669687706
半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
池上 徹真
, 須藤 章
, 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-053609
公開番号（公開出願番号）：特開2019-169487
出願日： 2018年03月21日
公開日（公表日）： 2019年10月03日
要約：
【課題】キャリアの移動度が高い半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、炭化珪素層と、ゲート電極と、炭化珪素層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、炭化珪素層の中に設けられ、窒素(N)を含有する第1の領域と、第1の領域とゲート絶縁層との間に設けられ、窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)、水素(H)、重水素(D)、フッ素(F)から成る群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する第2の領域と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素層と、
ゲート電極と、
前記炭化珪素層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、
前記炭化珪素層の中に設けられ、窒素(N)を含有する第1の領域と、
前記第1の領域と前記ゲート絶縁層との間に設けられ、窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)、水素(H)、重水素(D)、フッ素(F)から成る群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する第2の領域と、
を備える半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 29/739
, H01L 21/336
H01L29/78 652E
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 658J
, H01L29/78 658A
