特許
J-GLOBAL ID：201203003726539855

半導体素子及びその製造方法

発明者：
清水 達雄

清水 達雄 について

, 
四戸 孝

四戸 孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-023599
公開番号（公開出願番号）：特開2012-164788
出願日： 2011年02月07日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：
【課題】 十分に強いSiC基板表面の終端構造、その作成方法、及びそれを用いた半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体素子は、SiC基板と、SiC基板上に形成されたゲート絶縁膜とを少なくとも具備し、SiC基板とゲート絶縁膜の界面において、SiC基板の最表面のSiとCのいずれか又は両方の元素の一部が窒素、燐と砒素の中から選ばれる少なくとも1種の元素で置換されたことを特徴とする。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
SiC基板と、 前記SiC基板上に形成されたゲート絶縁膜とを少なくとも具備し、 前記SiC基板と前記ゲート絶縁膜の界面において、前記SiC基板の最表面のSiとCのいずれか又は両方の元素の一部が窒素、燐と砒素の中から選ばれる少なくとも1種の元素で置換されたことを特徴とする半導体素子。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739
FI (6件)：
H01L21/316 X ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 658A
Fターム (11件)：
5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF17 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM