研究者
J-GLOBAL ID:202001000430143367   更新日: 2024年04月19日

上杉 謙次郎

ウエスギ ケンジロウ | Uesugi Kenjiro
所属機関・部署:
職名: Senior epitaxy engineer
ホームページURL (1件): https://www.allos-semiconductors.com/
研究分野 (2件): 電子デバイス、電子機器 ,  結晶工学
研究キーワード (4件): 結晶成長 ,  LED ,  有機金属気相成長 ,  窒化物半導体
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • 2022 - 2025 窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
  • 2022 - 2024 高品質AlNテンプレートを用いた220 nm帯深紫外LEDの開発
  • 2021 - 2024 局所電流注入による窒化物半導体の発光効率分布可視化手法の開発
  • 2021 - 2022 高品質窒化物半導体エピタキシャル成長技術の事業化検証
論文 (40件):
  • Hideaki Murotani, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Kaichi Tani, Hiromasa Hayashi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Temperature- and Excitation Power Density-Resolved Photoluminescence of AlGaN-Based Multiple Quantum Wells Emitting in the Spectral Range of 220-260 nm. physica status solidi (b). 2024
  • Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao, Hideto Miyake. Polarity control of sputter-deposited AlN with high-temperature face-to-face annealing. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 166. 107736-107736
  • Gaku Namikawa, Kanako Shojiki, Riku Yoshida, Ryusei Kusuda, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake. MOVPE growth of AlN and AlGaN films on N-polar annealed and sputtered AlN templates. Journal of Crystal Growth. 2023. 617. 127256-127256
  • Satoshi Kurai, Megumi Fujii, Yuta Ohnishi, Ryota Oshimura, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Optical characterization of point defects on internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on face-to-face-annealed sputtered AlN templates. AIP Advances. 2023. 13. 4
  • Kenjiro Uesugi, Shigeyuki Kuboya, Kanako Shojiki, Shiyu Xiao, Takao Nakamura, Masataka Kubo, Hideto Miyake. 263 nm wavelength UV-C LED on face-to-face annealed sputter-deposited AlN with low screw- and mixed-type dislocation densities. Applied Physics Express. 2022. 15. 5. 055501-055501
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MISC (16件):
  • 大石悠翔, XIAO Shiyu, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 秋山亨, 玉野智弘, 三宅秀人. MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2023. 123. 288(ED2023 14-37)
  • 大石悠翔, XIAO Shiyu, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 秋山亨, 三宅秀人. MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
  • 上杉 謙次郎, 正直 花奈子, 窪谷 茂幸, 肖 世玉, 三宅 秀人. 高温アニールしたスパッタ成膜AlNテンプレートを用いたUV-C LEDの開発. 電気学会研究会資料. OQD = The papers of technical meeting on optical and quantum devices, IEE Japan. 2021. 2021. 34-38. 17-22
  • 渋谷康太, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, XIAO Shiyu, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 秋山亨, 三宅秀人, 三宅秀人. r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2021. 121. 259(ED2021 15-36)
  • 渋谷康太, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, XIAO S., 正直花奈子, 窪谷茂幸, 秋山亨, 三宅秀人, 三宅秀人. スパッタアニール法を用いたa面AlNの結晶性の基板オフ角依存性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
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特許 (23件):
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講演・口頭発表等 (14件):
  • Fabrication of Face-to-Face Annealed Sputter-Deposited AlN for High EQE 265 nm LEDs
    (5th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD2022) 2022)
  • High-Power UV-C LED on Face-to-Face Annealed Sputter-Deposited AlN
    (The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022) 2022)
  • 低転位密度AlNテンプレート上へのAlGaN成長と265nm発光LEDへの応用
    (2022年日本結晶成長学会特別講演会「赤﨑勇先生追悼公演会 ~結晶成長が描く夢の継承~」 2022)
  • High-power operation of DUV-LED grown on high-temperature annealed AlN templates
    (The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022) 2022)
  • 高温アニールAlNテンプレートを用いたUV-C LEDの開発
    (ワイドギャップ半導体学会第4回研究会 2021)
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学歴 (2件):
  • 2011 - 2013 東京大学 大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻
  • 2007 - 2011 東京大学 工学部 物理工学科
学位 (1件):
  • 博士(学術) (三重大学)
経歴 (9件):
  • 2023/12 - 現在 ALLOS Semiconductors GmbH Senior epitaxy engineer
  • 2023/05 - 2023/11 三重大学 大学院地域イノベーション学研究科 准教授
  • 2023/03 - 2023/11 三重大学 研究基盤推進機構 准教授
  • 2019/09 - 2023/04 三重大学 大学院地域イノベーション学研究科 助教
  • 2022/04 - 2023/02 三重大学 みえの未来図共創機構 助教
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受賞 (5件):
  • 2022/03 - 三重大学 2021年度優秀論文・著作・作品賞
  • 2022/01 - 一般社団法人電気学会 2021年電子・情報・システム部門技術委員会奨励賞 高温アニールしたスパッタ成膜AlNテンプレートを用いたUV-C LEDの開発
  • 2019/04 - OPTICS & PHOTONICS International Council The 7th International Conference on Light Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), Young Researcher’s Paper Award Threading Dislocation Reduction of Sputter-Deposited AlN Templates for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Device Applications
  • 2019/03 - 応用物理学会 第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演奨励賞 高温アニールしたAlNのクラック抑制と高品質化
  • 2018/07 - 日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 研究奨励賞 6H-SiC基板上におけるAlN周期構造の作製と評価
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