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J-GLOBAL ID：202002210017242145   整理番号：20A1061715

Au|Pt|n-GaN Schottky障壁ダイオードにおけるコンダクタンス深準位過渡分光法と電流輸送機構【JST・京大機械翻訳】

Conductance Deep-Level Transient Spectroscopy and Current Transport Mechanisms in Au|Pt|n-GaN Schottky Barrier Diodes

著者 (2件)： Gassoumi M. (Unite de Recherche Materiaux Avances et Nanotechnologies, Institut Superieur des Sciences Appliquees et de Technologie de Kasserine, Universite de Kairouan, Kasserine, Tunisia) ,  Gassoumi M. (Department of Physics, College of Science, Qassim University, Buryadh, Saudi Arabia)
資料名： Physics of the Solid State  (Physics of the Solid State)
巻： 62  号： 4  ページ： 636-641  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0823A  ISSN： 1063-7834  CODEN： PSOSED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au|Pt|n-GaN Schottky障壁ダイオードにおける電流輸送機構を40~325Kの温度範囲で調べた。計算した障壁高さと理想因子はそれぞれ1.12と2.13eVであり,障壁高さΦ_bは増加し,理想因子nは温度上昇と共に減少することが観察された。熱電子放出理論を用いて導いた見かけの障壁高さと理想因子は強く温度依存性であることが分かった。温度上昇に伴う障壁高さの増加は障壁不均一性の効果として説明された。この挙動は,金属と半導体の間の界面における障壁高さの不均一性による障壁高さのGauss分布の仮定に基づいて解釈された。これらすべてのパラメータの異常な挙動は,熱的に活性化された深い準位の存在に起因すると考えられる。コンダクタンス深準位過渡分光法(CDLTS)の結果は,E_1=0.18eVおよびHL_1=0.87eVの活性化エネルギーをもつ成長したままの試料において,二つの深い準位欠陥が観察されることを示した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  活性化エネルギー ,  *ダイオード ,  半導体 ,  正規分布 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  温度依存性 ,  熱電子放出 ,  *窒化ガリウム ,  深い準位 ,  *深準位過渡分光法 ,  昇温 ,  *コンダクタンス
準シソーラス用語： *電流輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： Schottky障壁ダイオード ,  I(V)特性 ,  HEMT ,  AlGaN ,  GaN ,  界面状態密度 ,  障壁高さ不均一性 ,  トラップ ,  CDLT

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： Au ,  Pt ,  GaN ,  Schottky障壁ダイオード ,  コンダクタンス ,  深準位過渡分光法 ,  電流輸送