文献

J-GLOBAL ID：202002210306087178   整理番号：20A1126178

酸化物界面電荷を持つ積層酸化物SiO_2/HfO_2円筒ゲートトンネルFETの解析的ドレイン電流モデル【JST・京大機械翻訳】

Analytical drain current model of stacked oxide SiO₂/HfO₂ cylindrical gate tunnel FETs with oxide interface charge

著者 (5件)： Singh P K (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India) ,  Baral K (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India) ,  Kumar S (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India) ,  Chander S (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India) ,  Jit S (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India)
資料名： Indian Journal of Physics  (Indian Journal of Physics)
巻： 94  号： 6  ページ： 841-849  発行年： 2020年 
JST資料番号： A1467A  ISSN： 0973-1458  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ソース-チャネル接合近傍のSi-SiO_2界面における界面トラップ電荷の効果を考慮することにより,積層酸化物SiO_2/HfO_2円筒ゲートトンネル電界効果トランジスタ(CG TFET)の解析的ドレイン電流モデルを開発した。チャネルポテンシャルをモデル化するために,Poisson方程式を,適切な境界条件を有する円筒座標系における放物線近似法を用いて解いた。次に,ポテンシャルモデルを用いて,積層酸化物SiO_2/HfO_2CG TFETの最小トンネル長,横電場,およびドレイン電流のためのいくつかの表現を開発した。提案したモデルの精度を改善するために,ソース/ドレイン空乏領域の影響を考慮した。市販のATLAS3DベースTCADシミュレーションデータを用いて,提案したモデル結果を検証した。Copyright Indian Association for the Cultivation of Science 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  電場 ,  円筒 ,  *酸化物 ,  近似法 ,  Poisson方程式 ,  境界条件 ,  ポテンシャル模型 ,  チャネル
準シソーラス用語： *ドレイン電流 ,  円筒座標 ,  TCAD ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  捕獲電荷 ,  空乏領域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： バンドからバンドへのトンネリング(BTBT) ,  界面トラップ電荷(ITC) ,  放物線近似 ,  トンネルFET(TFET)

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化物 ,  界面電荷 ,  ゲート ,  トンネルFET ,  解析 ,  ドレイン電流 ,  モデル