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J-GLOBAL ID：202002210340986132   整理番号：20A2019841

負および正バイアス応力下のnチャネルLTPS-TFTにおける二段階劣化【JST・京大機械翻訳】

Two-stage degradation in n-channel LTPS-TFTs under negative and positive bias stresses

著者 (6件)： Guo Jian (School of Optics and Photonics, Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, Beijing Institute of Technology, Beijing, China) ,  Yu Zhinong (School of Optics and Photonics, Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, Beijing Institute of Technology, Beijing, China) ,  Yan Wei (School of Optics and Photonics, Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, Beijing Institute of Technology, Beijing, China) ,  Shi Dawei (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing, China) ,  Xue Jianshe (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing, China) ,  Xue Wei (School of Optics and Photonics, Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, Beijing Institute of Technology, Beijing, China)
資料名： Journal of the Society for Information Display  (Journal of the Society for Information Display)
巻： 28  号： 9  ページ： 767-773  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0996B  ISSN： 1071-0922  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負バイアス応力と正のバイアスストレス下のnチャネル低温多結晶シリコン薄膜トランジスタのデバイス劣化挙動を調査した。閾値電圧は2段階劣化を持ち,時間とともに異なる方向にシフトすることが分かった。移動度とサブ閾値スイングSSは応力時間への依存性を示した。界面トラップ状態,結晶粒界トラップ状態,および電子捕獲が時間依存劣化挙動を支配することが決定された。トラップはSi-HとSi-O結合の破断に起因する。時間依存劣化挙動を明確に説明する包括的モデルを提案した。さらに,応力を除去した後,閾値電圧V_thの回復挙動を観測し,提案した劣化モデルを支持する証拠を与えた。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  結晶粒界 ,  電子捕獲 ,  *薄膜トランジスタ ,  時間依存性 ,  バイアス ,  チャネル
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  閾値電圧 ,  劣化モデル ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 劣化 ,  低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ(LTPS-TFT) ,  負バイアスストレス(NBS) ,  正バイアスストレス(PBS) ,  回復

分類 (2件)： 表示機器  (NC06030Q) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バイアス ,  応力 ,  Nチャネル ,  LTPS ,  TFT ,  段階