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J-GLOBAL ID：202002210625313908   整理番号：20A0786228

Al_xFe_2-xO_3薄膜におけるフェリ磁性と強誘電性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of ferrimagnetism and ferroelectricity in Al_xFe_2-xO₃ thin films

著者 (7件)： Rao Badari Narayana (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori, Yokohama 226-8503, Japan. [e-mail]) ,  Yasui Shintaro ,  Katayama Tsukasa ,  Taguchi Ayako ,  Moriwake Hiroki ,  Hamasaki Yosuke ,  Itoh Mitsuru
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 2  ページ： 706-714  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： κ-Al_2O_3ファミリーに属するAl_xFe_2-xO_3(x-AFO)薄膜は,室温フェリ磁性を示し,極性結晶構造を有するので興味深い。これらのタイプの材料は,同時フェリ磁性と強誘電性を観察するために研究されており,2つの間の結合の可能性を観察するために研究されている。しかし,薄膜の抵抗率が低いため,室温で強誘電特性を実現することは困難である。本研究では,高抵抗のx-AFO(0.5≦x≦1)薄膜を得るための合成条件を最適化した。磁気測定は膜の室温フェリ磁性を確認したが,x=0.8の組成で最大磁化が観測された。さらに,Curie温度は蒸着中の酸素圧によって影響されることが分かった。膜の強誘電測定は,小さな残留分極(~0.5~2μC/cm2)を示した。対照的に,第一原理計算から予測された分極は,21~26μCcm-2の間にあると計算された。また,解析は,強誘電分域スイッチングが面内酸素層のせん断を通して起こることを示唆した。隣接ドメインの偏光スイッチングを反対にする多重面内ドメインの存在は,小さな観測された偏光の原因であることが示唆された。磁気容量測定は静電容量と弱い磁気結合を示した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸素 ,  多重化 ,  *強誘電性 ,  *フェリ磁性 ,  Curie温度 ,  残留分極 ,  結晶構造 ,  静電容量 ,  強誘電分域 ,  *薄膜 ,  偏光 ,  磁化 ,  蒸着 ,  最適化 ,  分極

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  フェリ磁性 ,  強誘電性 ,  研究