文献

J-GLOBAL ID：202002210631212416   整理番号：20A1107920

低速動力学間欠スパッタリングを用いた薄膜成長の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved thin film growth using Slow Kinetics Intermittent Sputtering

著者 (6件)： Weymann Christian (Department of Quantum Matter Physics, University of Geneva, 24 Quai Ernest-Ansermet, CH-1211 Geneva 4, Switzerland) ,  Lichtensteiger Celine (Department of Quantum Matter Physics, University of Geneva, 24 Quai Ernest-Ansermet, CH-1211 Geneva 4, Switzerland) ,  Fernandez-Pena Stephanie (Department of Quantum Matter Physics, University of Geneva, 24 Quai Ernest-Ansermet, CH-1211 Geneva 4, Switzerland) ,  Fernandez-Pena Stephanie (Now at: European Organization for Nuclear Research (CERN), CH-1211 Geneva 23, Switzerland) ,  Cordero-Edwards Kumara (Department of Quantum Matter Physics, University of Geneva, 24 Quai Ernest-Ansermet, CH-1211 Geneva 4, Switzerland) ,  Paruch Patrycja (Department of Quantum Matter Physics, University of Geneva, 24 Quai Ernest-Ansermet, CH-1211 Geneva 4, Switzerland)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 516  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波軸外マグネトロンスパッタリングは,複雑な酸化物の高品質エピタキシャル薄膜を作製するための良く確立された技術である。それは,薄膜,超格子および固溶体を成長させるために,20年以上にわたって成功裏に使用されてきた。主な欠点は,成長のその場モニタリングの一般的な欠如であり,多くの成長パラメータの最適化を著しく遅らせることができる。しかしながら,一度最適パラメータが見出されると,それらは常に時間的に非常に安定で,一貫して高品質の薄膜をもたらす。主な成長パラメータの一つは成長温度であり,典型的な最適範囲は20°Cと狭い。ここでは,プロトタイプの強誘電体PbTiO_3をモデル系として用いて,堆積過程を周期的に中断することにより,堆積した材料を緩和することにより,原子的に平坦な表面を50°C以上に得る温度範囲を著しく増加できることを示した。さらに,X線回折によって示されるように,全体の結晶品質は大いに改善される。最後に,他の材料へのこの方法の適用性を実証した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  エピタクシー ,  超格子 ,  強誘電体 ,  固溶体 ,  最適化 ,  *薄膜 ,  酸化物 ,  HF【周波数】 ,  *薄膜成長 ,  マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  結晶品質 ,  高品質 ,  最適パラメータ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エピタキシャル超薄膜 ,  スパッタリング ,  成長温度 ,  表面品質 ,  結晶品質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低速 ,  動力学 ,  間欠 ,  スパッタリング ,  薄膜成長