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J-GLOBAL ID：202002210795251940   整理番号：20A0496557

エピタキシャル浮上オフ薄膜GaInP/GaAs/GaInAsSb格子整合三重接合太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial Lifted-Off Thin Film GaInP/GaAs/GaInNAsSb Lattice-Matched Triple Junction Solar Cells

著者 (6件)： Miyashita Naoya (The University of Tokyo,Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST),Tokyo,Japan,153-8904) ,  Ahsan Nazmul (The University of Tokyo,Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST),Tokyo,Japan,153-8904) ,  Okada Yoshitaka (The University of Tokyo,Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST),Tokyo,Japan,153-8904) ,  Tatavarti Rao (MicroLink Devices, Inc.,Niles,IL,USA,60714) ,  Wibowo Andree (MicroLink Devices, Inc.,Niles,IL,USA,60714) ,  Pan Noren (MicroLink Devices, Inc.,Niles,IL,USA,60714)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： PVSC  ページ： 1502-1505  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,有機金属化学蒸着(MOCVD)と分子線エピタクシー(MBE)のハイブリッド成長を用いて,上部から底部に反転した格子整合GaInP/GaAs/GaInNAsSb三重接合(3J)太陽電池のエピタキシャルリフトオフ(ELO)を行った。ELO薄膜3Jセルの作製に成功した。次に,各サブセルに対するベース層の厚さのような素子構造に焦点を合わせ,電流整合の重要な問題に関して光吸収量を変化させた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  電流 ,  MOCVD ,  *太陽電池 ,  MBE成長 ,  接合 ,  素子構造 ,  *エピタクシー ,  *薄膜 ,  *格子整合 ,  浮上り ,  光吸収
準シソーラス用語： エピタキシャルリフトオフ ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 移動通信  (ND08030H) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： エピタキシャル ,  浮上 ,  オフ ,  薄膜 ,  GaInP ,  GaAs ,  格子整合 ,  太陽電池