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J-GLOBAL ID：202002211529624058   整理番号：20A0475299

原子空孔を持つ単分子層1T’WS_2によるセンシングのための高度に増強された性能【JST・京大機械翻訳】

Highly enhanced performance for sensing by monolayer 1T’ WS₂ with atomic vacancy

著者 (12件)： Wang Weiqi (MEMS Center, Harbin Institute of Technology, 150001, China) ,  Cao Jiamu (MEMS Center, Harbin Institute of Technology, 150001, China) ,  Cao Jiamu (Key Laboratory of Micro-systems and Micro-Structures Manufacturing, Ministry of Education, 150001, China) ,  Zhou Jing (MEMS Center, Harbin Institute of Technology, 150001, China) ,  Zhou Jing (Key Laboratory of Micro-systems and Micro-Structures Manufacturing, Ministry of Education, 150001, China) ,  Chen Junyu (MEMS Center, Harbin Institute of Technology, 150001, China) ,  Liu Junfeng (MEMS Center, Harbin Institute of Technology, 150001, China) ,  Deng Huichao (Beihang University, 100191, China) ,  Zhang Yufeng (MEMS Center, Harbin Institute of Technology, 150001, China) ,  Zhang Yufeng (Key Laboratory of Micro-systems and Micro-Structures Manufacturing, Ministry of Education, 150001, China) ,  Liu Xiaowei (MEMS Center, Harbin Institute of Technology, 150001, China) ,  Liu Xiaowei (Key Laboratory of Micro-systems and Micro-Structures Manufacturing, Ministry of Education, 150001, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 223  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れたガス捕捉と検出性能はガス検知材料において重要な役割を果たす。材料の固有特性に及ぼす原子空孔欠陥の影響も無視できない。ここでは,最初に,欠陥1T’WS_2単分子層のガス吸着挙動を検討した。著者らは,欠陥と完全な1T’w_2単分子層の間の吸着効果を比較する例として,毒性NO_2ガスを取り上げた。密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理研究を行い,理論的基礎として作用させた。これらの結果は,空格子点欠陥が1T’WS_2単分子層の吸着安定性を強化することができることを示して,それはより低い吸着エネルギー,より多くの電荷移動と状態密度のより多くの重なりを提供した。したがって,空格子点欠陥は1T’WS_2単分子層をより顕著な表面活性と吸着性能を有する。これは,これらの高性能ガス検知デバイスに適用されるナノ材料の改良のための理論的支持も提供できる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単分子層 ,  密度汎関数法 ,  電荷移動 ,  ナノ材料 ,  単一層 ,  状態密度 ,  界面活性 ,  捕獲 ,  吸着 ,  第一原理 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 吸着能力 ,  ガス吸着 ,  ガス検知 ,  *原子空孔 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 第一原理 ,  原子空孔欠陥 ,  単層1T′相WS_2 ,  ガス検知

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子空孔 ,  単分子層 ,  センシング ,  増強