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J-GLOBAL ID：202002211620101752   整理番号：20A1031729

GO/TiO_2/n-Si MOSデバイスの電気的および容量-電圧特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of electrical and capacitance- voltage characteristics of GO/TiO₂/n-Si MOS device

著者 (4件)： Ashery A. (Solid State Electronics Laboratory, Solid State Physics Department, Physical Research Division, National Research Centre, 33 El-Bohouth St., Dokki, Giza, 12622, Egypt) ,  Shaban H. (Physics Division, Solid State Physics Department, National Research Centre, 33 El Bohouth St. (Former El Tahrir St.), Dokki, P.O. Box 12622, Giza, Egypt) ,  Gad S.A. (Physics Division, Solid State Physics Department, National Research Centre, 33 El Bohouth St. (Former El Tahrir St.), Dokki, P.O. Box 12622, Giza, Egypt) ,  Mansour B.A. (Physics Division, Solid State Physics Department, National Research Centre, 33 El Bohouth St. (Former El Tahrir St.), Dokki, P.O. Box 12622, Giza, Egypt)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 114  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電気分析GO/TiO_2/Si MOS接合を行った。ダイオードの電流-電圧(I-V)特性を298~398Kで解析した。理想因子(η),障壁高さ(φB),整流比(RR),直列およびシャント抵抗(R_S&R_sh)のようないくつかのパラメータをI-Vプロットから推定した。結果は,MOS接合が熱電子放出現象に従うことを示した。さらに,静電容量-電圧(C-V)を,温度範囲(233~363K)および異なる周波数で,電圧範囲(-2V~+2V)で測定した。低周波数10Hzでは,コンデンサの負の容量が明らかになった。負の静電容量は調べた材料の誘導挙動に起因する。さらに,より高い周波数,f=2×10~7Hzでは,温度の上昇とともに静電容量はわずかに増加し,界面状態(Nss)はac信号を追跡できず,幾何学的静電容量値を与えた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コンデンサ ,  接合 ,  ダイオード ,  *電圧 ,  電流 ,  表面準位 ,  電解分析 ,  熱電子放出 ,  静電容量 ,  LF【周波数】
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  理想因子 ,  シャント抵抗 ,  障壁高さ ,  整流比 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GO/TiO_2/Si MOS接合 ,  I-V測定 ,  キャパシタンス ,  電圧(C-V)

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  MOSデバイス ,  電圧特性 ,  研究