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J-GLOBAL ID：202002211758882560   整理番号：20A2236702

Bi誘起層交換成長法によるn型Ge/絶縁基板の低温形成

Low-Temperature Formation of n-type Ge/Insulator by Bi-Induced Layer Exchange Crystallization

著者 (4件)： LIU S. (九大 大学院) ,  GONG X.S. (九大 大学院) ,  GAO H.-M. (九大 大学院) ,  佐道泰造 (九大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12a-D519-4  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】高性能薄膜デバイスの創出を目指し、触媒(Au、A1等)を用いたGeの層交換成長[1]が検討されているが、多くの場合、成長層はp型伝導を示す。我々はV族元素Sbを用いる事でn型Geを実現したが[2]、成長温度に必要な熱処理温度が4...【本文一部表示】

シソーラス用語： Hall効果 ,  Ramanスペクトル ,  結晶成長 ,  熱処理 ,  アルゴン ,  アンチモン ,  *ゲルマニウム ,  *ビスマス ,  非対称性 ,  *低温生成 ,  電気特性 ,  Auger分光法 ,  下層 ,  顕微Raman分光法
準シソーラス用語： 窒素雰囲気 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Bi ,  誘起 ,  成長 ,  Ge ,  絶縁基板 ,  低温形成