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J-GLOBAL ID：202002211794975615   整理番号：20A0910320

垂直ナノワイヤとナノシートFET デバイスの特徴,改良されたプロセス制御のための新しいスキーム,より高速でより高いエネルギー効率の回路のための可能性【JST・京大機械翻訳】

Vertical Nanowire and Nanosheet FETs: Device Features, Novel Schemes for Improved Process Control and Enhanced Mobility, Potential for Faster & More Energy Efficient Circuits

著者 (25件)： Veloso A. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Hikavyy A. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Loo R. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Paraschiv V. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Chan B. T. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Radisic D. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Li W. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Versluijs J. J. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Teugels L. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Sebaai F. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Favia P. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Eneman G. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Bender H. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Vancoille E. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Scheerder J. E. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Fleischmann C. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Horiguchi N. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Matagne P. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Huynh-Bao T. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Chasin A. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Simoen E. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Vecchio E. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Devriendt K. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Brus S. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Rosseel E. (Imec,Leuven,Belgium,3001)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IEDM  ページ： 11.1.1-11.1.4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超スケール回路に対して魅力的な機会を提供するpおよびn型垂直ゲート-オール-アラウンド(GAA)ナノワイヤ(NW)およびナノシート(NS)FETについて報告した。RMG方式で構築された接合レス(JL)対逆モード(IM)垂直FETの性能,可変性,雑音および信頼性挙動を改善するために,ドーピングおよびキーデバイス寸法の影響に関する徹底的評価を提示した。後者は,予測されたA19%より高いI_ONまでの増強された移動度のために,VFETsにおける応力を導入するための新しい概念を可能にした。SiGe/Siピラーと自己整合スペーサは,S/Dへの垂直(mis)配列をゲートするための解決策を提供する。MRAMセレクターとして,VNS FETは,より小さい読出し/書込みエネルギー消費と待ち時間で,実質的な面積縮小(セル当たり2VNSに対して64%;3nmノード設計ルール)対フィンFETベースのセルを可能にする。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  雑音 ,  接合 ,  選別器 ,  信頼性 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  スペーサ ,  待ち時間 ,  エネルギー消費 ,  自己整合 ,  *ナノワイヤ ,  *ナノシート
準シソーラス用語： FinFET ,  シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  音声処理  (JE05000E) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (8件)： 垂直 ,  ナノワイヤ ,  ナノシート ,  FET ,  プロセス制御 ,  スキーム ,  エネルギー効率 ,  可能性