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J-GLOBAL ID：202002212112012372   整理番号：20A0646946

プラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させたGaN膜特性に及ぼす成長速度の影響に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Study on the effects of growth rate on GaN films properties grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (12件)： Zhang HePeng (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Xue JunShuai (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Fu YongRui (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Yang Mei (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Zhang YaChao (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Duan XiaoLing (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Qiang WeiTing (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Li LanXing (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Sun ZhiPeng (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Ma XiaoHua (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Zhang JinCheng (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Hao Yue (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 535  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,大きな金属液滴を形成することなく,Gaリッチ条件下でプラズマ支援分子線エピタクシー(PA-MBE)により,厚いGaNオンサファイアテンプレート上に成長させたGaN膜特性に及ぼす成長速度の影響を系統的に調べた。窒素流を変調することにより窒素制限成長速度を変化させ,高周波プラズマ源定数のパワーを維持し,エピタキシャルGaN膜の厚さを容量電圧により決定し,二次イオン質量分光法により同時に検証した。高成長速度で成長させたGaN膜はX線回折により測定した改善された結晶品質を示し,原子間力顕微鏡により分解されたより高いヒロックとより明確なステップテラスに沿って粗い表面形態を示すことが分かった。光ルミネセンス分光法による特性評価から,高成長速度で成長させたGaNエピ層に対して,近バンド発光ピークの半値全幅と黄色バンド発光強度が減少し,欠陥状態密度の低下と残留炭素不純物濃度の低下に対応することが分かった。提示した結果は,成長速度がGaNエピタキシャル膜の構造的,形態的,光学的性質に強く影響し,高い成長速度がより良いGaN膜品質を実現することを示し,電子およびオプトエレクトロニクス応用のためのPA-MBE成長III窒化物デバイス品質材料に対する助けとなる洞察を与えた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *成長速度 ,  X線回折 ,  品質 ,  *MBE成長 ,  *窒化ガリウム ,  不純物 ,  *プラズマ ,  オプトエレクトロニクス ,  原子間力顕微鏡 ,  発光 ,  FWHM ,  電圧 ,  *エピタクシー ,  窒素 ,  光ルミネセンス

著者キーワード (6件)： A1 結晶構造 ,  A1 不純物 ,  A1 表面 ,  A3 分子ビームエピタクシー ,  B1 窒化物 ,  B2 半導体III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  GaN ,  膜特性 ,  成長速度 ,  研究