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J-GLOBAL ID：202002212243362532   整理番号：20A1360545

希土類フリーCoSb_3-スクッテルダイト薄膜のTeドーピングによる劇的な力率改善【JST・京大機械翻訳】

Drastic power factor improvement by Te doping of rare earth-free CoSb₃-skutterudite thin films

著者 (7件)： Bourges Cedric (WPI-MANA, CFSN, National Institute for Materials Science (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba 305-0044, Japan. [e-mail]) ,  Sato Naoki ,  Baba Takahiro ,  Baba Tetsuya ,  Ohkubo Isao ,  Tsujii Naohito ,  Mori Takao
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 10  号： 36  ページ： 21129-21135  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,熱電(TE)薄膜の工業的開発のための魅力的な技術であるRFマグネトロンスパッタリングによるTeドープCoSb_3薄膜の制御の精緻化に焦点を当てた。制御された化学量論を有する高品質膜を得るために,信頼できるアプローチでスパッタリングターゲットの合成に成功した。次に,TE特性を調べ,貧弱な電気輸送特性を特徴とする信頼できるn型挙動を明らかにした。テルリウム置換を共スパッタリング堆積により実現し,室温付近でPF≒0.21mWm-1K-2の有望な値をもつ力率の顕著な増強を得た。それはTeドーピング効果に関連し,Seebeck係数と電気伝導率を同時に増加させた。しかし,この大きな改善にもかかわらず,その特性はバルク材料から遠いままであり,薄膜フォーマットによって減少したキャリア移動度を改善するためには更なる開発が必要である。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  電気伝導率 ,  *薄膜 ,  産業開発 ,  *テルル ,  *力率 ,  *ドーピング ,  化学量論
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  輸送特性 ,  *スクッテルダイト ,  高品質 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  ドーピング効果 ,  同時スパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電気的性質  (WB02010Y) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 希土類 ,  スクッテルダイト ,  薄膜 ,  Te ,  ドーピング ,  力率