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J-GLOBAL ID：202002212830602143   整理番号：20A0434044

深い極低温まで動作するSiGe HBTのDCおよびRF可変性【JST・京大機械翻訳】

DC and RF Variability of SiGe HBTs Operating Down to Deep Cryogenic Temperatures

著者 (9件)： Ying Hanbin (Georgia Tech,School of Electrical and Computer Engineering,Atlanta,GA,USA,30332-0250) ,  Teng Jeffrey W. (Georgia Tech,School of Electrical and Computer Engineering,Atlanta,GA,USA,30332-0250) ,  Tzintzarov George N. (Georgia Tech,School of Electrical and Computer Engineering,Atlanta,GA,USA,30332-0250) ,  Omprakash Anup P. (Georgia Tech,School of Electrical and Computer Engineering,Atlanta,GA,USA,30332-0250) ,  Rao Sunil G. (Georgia Tech,School of Electrical and Computer Engineering,Atlanta,GA,USA,30332-0250) ,  Raghunathan Uppili (Georgia Tech,School of Electrical and Computer Engineering,Atlanta,GA,USA,30332-0250) ,  Ildefonso Adrian (Georgia Tech,School of Electrical and Computer Engineering,Atlanta,GA,USA,30332-0250) ,  Fernandez Martin S. (Georgia Tech,School of Electrical and Computer Engineering,Atlanta,GA,USA,30332-0250) ,  Cressler John D. (Georgia Tech,School of Electrical and Computer Engineering,Atlanta,GA,USA,30332-0250)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： BCICTS  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300K,78K,7Kで市販の90nm SiGe HBTの測定結果を示した。データは,300Kでのそれと比較して,78Kと7KでのSiGe HBTの可変性の増加を明らかにした。コレクタ電流,ベース電流およびDC電流利得(β)の変化は,300Kでの5%から7Kでの平均測定値の約50%まで増加した。相互コンダクタンス(g_m)変化は,300Kで0.6%から7Kで5%まで増加した。ピークf_T変化は2.6%から7.1%まで増加し,一方,低注入でのf_Tは300Kで1.8%から7Kで24.9%まで増加した。78Kと7Kにおいてより低い注入レベルで変動性の増加が観察され,DCパラメータはRFパラメータよりも多くの変動を持つ傾向がある。量子計算のような新しい低温応用を支援する回路設計のための可変性の増大の意味を論じた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 量子計算 ,  相互コンダクタンス ,  *低温 ,  *極低温 ,  回路設計
準シソーラス用語： 電流利得 ,  ベース電流 ,  コレクタ電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 極低温 ,  SiGe ,  HBT ,  DC ,  RF ,  可変性