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J-GLOBAL ID:202002213010561275   整理番号:20A2238596

GaPにおけるコヒーレントフォノンのGa+集束イオンビーム照射効果

The effect of irradiation by Ga+ focused ion beam on coherent phonons in GaP crystal
著者 (5件):
資料名:
巻: 67th  ページ: ROMBUNNO.14a-PB3-2  発行年: 2020年02月28日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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フェムト秒レーザーパルスを固体に照射すると、位相が揃った格子振動(コヒーレントフォノン:CP)が励起され、ラマン分光では困難な緩和ダイナミクスの詳細を知ることができる。今までCPの位相緩和は、キャリア、点欠陥などのフォノニック環境との相互...【本文一部表示】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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半導体薄膜  ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  ,  結晶中のフォノン・格子振動 
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