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J-GLOBAL ID：202002213555975619   整理番号：20A1085233

多層グラフェンの層交換におけるNi以下の炭素膜挿入の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of the carbon membrane inserted below Ni in the layer exchange of multilayer graphene

著者 (5件)： Murata H. (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan. [e-mail] [e-mail]) ,  Saitoh N. ,  Yoshizawa N. ,  Suemasu T. ,  Toko K.
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 22  号： 18  ページ： 3106-3109  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス上の高品質多層グラフェンを低温(400°C)で達成した。Niの下の非晶質C膜によるNi誘起層交換は,Niの過飽和を増大させた。これは層交換温度を低下させ,膜なしで500~800°Cで形成された試料よりも高い結晶品質を有する多層グラフェンを作製する。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 過飽和 ,  ガラス ,  低温 ,  *ニッケル ,  非晶質
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  *炭素膜 ,  高品質 ,  *多層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多層グラフェン ,  層 ,  Ni ,  炭素膜