文献

J-GLOBAL ID：202002213619424771   整理番号：20A1341564

クロスポイントアレイ用のサブμm a-IGZO,完全集積化,プロセス改善,垂直ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Sub-μm a-IGZO, Fully integrated, Process improved, Vertical diode for Crosspoint arrays

著者 (11件)： Sharifi S. Houshmand (IMEC,Leuven,Belgium,3001) ,  Chasin A. (IMEC,Leuven,Belgium,3001) ,  Fantini A. (IMEC,Leuven,Belgium,3001) ,  Dekkers H. (IMEC,Leuven,Belgium,3001) ,  Mao M. (IMEC,Leuven,Belgium,3001) ,  Nag M. (IMEC,Leuven,Belgium,3001) ,  Mertens S. (IMEC,Leuven,Belgium,3001) ,  Rao S. (IMEC,Leuven,Belgium,3001) ,  Jossart N. (IMEC,Leuven,Belgium,3001) ,  Crotti D. (IMEC,Leuven,Belgium,3001) ,  Kar G. S. (IMEC,Leuven,Belgium,3001)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IMW  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 知る限りでは,サブμmのインジウム-ガリウム-亜鉛オキシド(a-IGZO)(垂直)Schottkyダイオードを300mmのプラットフォームで実証した。近理想ダイオードパラメータ(n,φSBH)および均一ウエハレベル挙動を達成するために,適切なAl_2O_3ベースカプセル化層の選択が重要であることを示した。0.5μmx0.5μmの最小デバイスに対して,1.5の理想因子nと0.7eVのSchottky障壁高さ(ΦSBH)を示し,同時に0.1MA/cm2のピーク電流密度を達成した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイオード ,  酸化物 ,  Schottky障壁ダイオード ,  電流密度
準シソーラス用語： 理想因子 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  Schottky障壁高さ ,  サブミクロンサイズ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブμm ,  IGZO ,  集積化 ,  プロセス改善 ,  垂直 ,  ダイオード