文献

J-GLOBAL ID：202002214462460475   整理番号：20A0433232

界面トラップ電荷を含むSiC MOSFETの短絡故障モデル【JST・京大機械翻訳】

Short-Circuit Failure Model of SiC MOSFET Including the Interface Trapped Charges

著者 (5件)： Zhou Yuming (School of Electrical and Information Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan, China) ,  Liu Hangzhi (College of Electrical and Information Engineering, Hunan University, Changsha, China) ,  Mu Shilu (School of Electrical and Information Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan, China) ,  Chen Zhaoquan (School of Electrical and Information Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan, China) ,  Wang Bing (School of Electrical and Information Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan, China)
資料名： IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics  (IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics)
巻： 8  号： 1  ページ： 90-98  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2402A  ISSN： 2168-6777  CODEN： IJESN2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,短絡(SC)ケースの下でSiC MOSFETの故障を複製する物理ベースのモデルを提示した。このモデルを,2つの漏れ電流機構を導入することによって,SiC MOSFETの伝統的回路モデルに基づいて構築した。一つはドレインとソース間の漏れ電流であり,もう一つはゲート漏れ電流である。さらに,SiC/SiO_2の界面でトラップされた電荷で特性化されたキャリア移動度を採用した。破壊モデルを実験結果に対して検証した。開発した故障モデルにより,SCイベント下のSiC MOSFETの故障メカニズムを解析した。SiC MOSFETのSC性能に及ぼす界面トラップ電荷の影響を調べた。さらに,異なるオフ状態ゲート電圧をもつSiC MOSFETのSC故障を検討した。界面トラップ電荷の挙動を解析した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  回路モデル ,  *界面 ,  漏れ電流 ,  キャラクタリゼーション ,  キャリア移動度 ,  *故障
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  オフ状態 ,  故障メカニズム ,  *故障モデル ,  破壊モデル ,  ゲート漏れ電流 ,  *SiC MOSFET ,  *捕獲電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電動機  (NB07030U) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 界面トラップ ,  電荷 ,  SiC ,  MOSFET ,  短絡 ,  故障モデル